Lonizing radiation effects in mos oxides Timothy R Oldham
Tác giả: Oldham, Timothy R.
Tùng thư: International advances in solid state electronics and technology.Nhà xuất bản: Singapore World Scientific 1999Thông tin mô tả: xiv, 171 p. 23cm.Số ISBN: 9810233264.Chủ đề: Cơ bảnSố phân loại DDC: 539.72 Tóm tắt: This volume is intended to serve as an updated critical guide to the extensive literature on the basic physical mechanisms controlling the radiation and reliability responses of MOS oxides.| Kiểu tài liệu | Thư viện hiện tại | Ký hiệu phân loại | Trạng thái | Ngày hết hạn | Đăng ký cá biệt |
|---|---|---|---|---|---|
Sách
|
539.72 O375 (Xem kệ sách) | Sẵn sàng | MD.17420 | ||
|
Sách
|
539.72 O375 (Xem kệ sách) | Sẵn sàng | MD.17421 | ||
|
Sách
|
539.72 O375 (Xem kệ sách) | Sẵn sàng | MD.17422 |
Browsing Nam Can Tho University Shelves Thoát
| 539.7 T166 Atoms in electromagnetic fields | 539.7 T238 Finite superstrings | 539.72 H196 Challenges in granular physics | 539.72 O375 Lonizing radiation effects in mos oxides | 539.72 O375 Lonizing radiation effects in mos oxides | 539.72 O375 Lonizing radiation effects in mos oxides | 539.72 W629 Vật lý hạt : |
This volume is intended to serve as an updated critical guide to the extensive literature on the basic physical mechanisms controlling the radiation and reliability responses of MOS oxides.
Click vào ảnh bìa để xem rõ hơn.
Hiện tại chưa có bình luận nào về tài liệu này.